R 会 場 総合教育研究棟 3 階
座 長 池田 賢一 (9 : 30〜10 : 30)
668 MBE Growth and Characterization of Mn Doped β-FeSi2 Films
東北大多元研 ○紀世陽 片平裕子 王吉豊
電磁研 阿部世嗣 増本 剛 東北大多元研 林載元
ソニー宮城 打越雅仁 東北大多元研 三村耕司 一色 実
東大工院 ○米山 毅 生産研(現:阪大工) 吉川 健
生産研 森田一樹
東北大多元研 ○王吉豊 斉藤 繁 紀世陽 一色 実
671 b 軸配向 BaTi2O5 多結晶体の誘電特性に及ぼす Nb2O5 および La2O3 置換の影響東北大金研 ○塗溶 後藤 孝
― 15 分 休 憩 ―
座 長 松尾 直人 (10 : 45〜11 : 45)672 スパッタリング法によるナノグラニュラー構造 Ge/Ta2O5 薄膜の作製と屈折率
電磁研 ○阿部世嗣 大沼繁弘
673 Si2H6 を用いた SiC 薄膜の低温合成物・材機構 ○鈴木 裕 荒木 弘 土佐正弘 野田哲二
674 RF スパッタリング法により作製された Si1−x−yGexCy/Si 半導体界面の微細構造久留米高専 ○奥山哲也 山崎有司 専攻科 江崎哲也
佐賀工技セ 円城寺隆志 臼井一郎
NTT マイクロシステム研 山田 宏
― 昼 食 ―
座 長 藤村 紀文 (13 : 00〜14 : 15)676 低温結晶化技術(1)―a-Si 薄膜への軟 X 線照射による物性改質―
兵庫県立大工 ○松尾直人 上拾石和也
高度研 天野 壮 工 部家 彰
高度研 宮本修治 望月孝晏 神田一浩 新部正人
日本技術セ 竹迫涼一 明昌機構 足立真士
兵庫県立大工 ○松尾直人 田中直樹 部家 彰
阪大 芹川 正 山口大 河本直哉
東北大環境(院生) ○佐藤 誠 環境 嶋崎真一 谷口尚司
Univ. of Greenwich V. Bojarevics
九大総理工 ○池田賢一
(院生)(現:三菱重工業) 廣田 健
(院生) 藤本健資 杉本陽平
産学連携セ(現:崇城大工) 井 誠一郎 産学連携セ 中島 寛
総理工 中島英治
東北大金研(院生) ○沓掛健太朗 宇佐美徳隆
藤原航三 野瀬嘉太郎 伊藤 俊 菅原孝昌
宍戸統悦 中嶋一雄
― 15 分 休 憩 ―
座 長 竹田 美和 (14 : 30〜15 : 45)681 Er 添加 TiO2 の 1.5 μm 帯のフォトルミネッセンスに及ぼす金属元素の影響
名大院工(院生) ○鮎川達也
(現:エヌ・ティ・ティ) 小森敏敬 南開大 周 震
京大院工 小泉 淳 名大院工 竹田美和 森永正彦
筑波大院 ○大山将也
筑波大物質,科技機構 木塚徳志
阪大工院 ○藤井 慧 日高圭二
平松 隆 寺井慶和 藤原康文
東北大工(院生) ○菅井麻希 院工 小山 裕
半導体研 丹野剛紀 西澤潤一
東北大工(院生) ○佐藤翔太 学振特別研究員 大野武雄
東北大院工 小山 裕 半導体研 西澤潤一
― 15 分 休 憩 ―
座 長 福山 博之 (16 : 00〜17 : 30)686 化学気相輸送法による酸化亜鉛単結晶の大型化と評価
東北大多元研 ○洪相輝 安尾暁彦 王吉豊 三村耕司
一色 実
住友金属鉱山 正 義彦
東北大(院生) ○加藤良和
院 安田 新 田邉匡生 小山 裕
半導体研 須藤 建 西澤潤一
物・材機構 ○小出康夫 メイヨン リョオ
フランス国立科学研究セ ホセ アルバレッツ
明星大理工 ○清宮義博 篠田哲守 (学生) 廣崎龍児
690 γ-AlON 共析温度以下におけるサファイア窒化挙動東北大多元研(院生) ○中村克仁
多元研 小畠秀和 福山博之 中村 崇 トクヤマ 箱守 明
東北大金研 西嶋雅彦 平賀賢二
東大工(院生) ○王 昊 陳 迎 金田保則 新領域 岩田修一