9　月　16　日


R　会　場　　総合教育研究棟 3 階

薄　膜　材　料
Thin Films

　座 長　小出　康夫　（10 : 30〜12 : 00）

655　TiN バッファ層上に成膜した GaN の結晶成長と格子欠陥との関係

京大院 ○李相陳　内田　悠
工 伊藤和博 着本　享　豊田合成 池本由平　平田宏治
京大工 村上正紀

656　GaN 結晶成長用スパッタ(Ti1−XZrX)N バッファ層の開発

京大院 ○酒井康明　内田　悠　伊藤和博　着本　享
豊田合成 池本由平　平田宏治　京大工 村上正紀

657　スパッタ TiO2：Nb 薄膜材における電気特性および微細構造

京大院 ○浜田良太　着本　享　伊藤和博
豊田合成 守山実希　柴田直樹　京大院 村上正紀

658　CM-GFS 源を用いた Pt 添加 TiO2 薄膜の成膜と評価

東海大工(院生) ○山崎雅博　工 岩瀬満雄　西　義武
理 小栗和也　生体分子研 大場敬生　河村　智
東京高専 一戸隆久　正木　進

659　反応性 RF マグネトロンスパッタ法で作製した酸化タングステンの結晶構造

東北大工(院生) ○井上愛知
原子力機構 高野勝昌　山本春也
東北大金研 永田晋二 四竈樹男

660　MOD 法による(La, Sr)MnO3 薄膜の作製

東北大工 ○王占杰　工(院生) 臼杵博一　工 粉川博之

― 昼　　　食 ―

テラヘルツ物性
THz Electronics/Photonics

　座 長　藤原　康文　（13 : 00〜14 : 45）

661　GaP テラヘルツ波発生における励起用近赤外レーザ光源の種類と応用

半導体研 西澤潤一　東北大工 ○田邉匡生
半導体研 須藤　建　東北大工(院生) 渡部祐介
半導体研 佐々木哲朗　東北大工 小山　裕

662　テラヘルツ波発生用 1.2 μm 波長帯 Cr：F レーザ発振器の設計

東北大工(院生) ○穂積則充　工 田邉匡生
半導体研 佐々木哲朗　東北大工 小山　裕
半導体研 須藤　建 西澤潤一

663　GaP 2 次元テラヘルツ帯フォトニック結晶の設計

東北大工(院生) ○齊藤恭介　院工 田邉匡生　小山　裕
半導体研 須藤　建　西澤潤一　佐々木哲朗　木村智之

664　蒸気圧制御温度差液相成長法による層状半導体 GaSe のバルク結晶成長とテラヘルツ帯特性

東北大院工(院生) ○佐藤史和　院工 小山　裕　田邉匡生
半導体研 須藤　建　西澤潤一

665　単一励起光源による GaSe 結晶からのテラヘルツ波発生

東北大院工(院生) ○釼持敦志　院工 田邉匡生　小山　裕
半導体研 佐々木哲朗　丹野剛紀　須藤　建　西澤潤一

666　GRT システムを利用したアルコール系液体試料の THz スペクトル

東北大院工(院生) ○釼持敦志
院工 田邉匡生 小山　裕
半導体研 須藤　建　西澤潤一　佐々木哲朗　丹野剛紀

667　分子層エピタキシ法による GaAs TUNNETT 微細構造の試作とサブ THz 発振特性

東北大院工(院生) ○遠藤一臣
院工 小山　裕　田邉匡生
半導体研 P. Plotka　真壁浩樹　須藤　建　西澤潤一