9月20日
半導体材料
Semiconducting Materials
N会場C棟 3階C305号室
座長 谷村 洋 (09:00~10:00)
346 |
MnTe薄膜の相変化に伴う物性変化 |
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東北大工(院生)○森 竣祐
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東北大工須藤 祐司
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東北大工安藤 大輔
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東北大工小池 淳一
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347 |
Inフラックス法によるGaSeの低温液相成長 |
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東北大工 (院生)○佐藤 陽平
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東北大工 (院生)渡辺 克也
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東北大工 (院生)唐 超
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東北大工田邉 匡生
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東北大工小山 裕
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348 |
各種フラックスを用いた層状半導体GaSeの低温液相成長 |
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東北大工(院生)○渡辺 克也
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東北大工(院生)佐藤 陽平
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東北大工(院生)唐 超
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東北大工田邉 匡生
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東北大工小山 裕
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349 |
スパッタリング法によるGe添加ZnO薄膜の作製 |
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休憩10分 |
座長 須藤 祐司 (10:10~11:25)
350 |
摩擦誘起成膜法により生成する二硫化モリブデン(MoS2)結晶のラマンマッピング・フォトルミネッセンス測定 |
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東北大工(院生)○伊藤 孝郁
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東北大工田邉 匡生
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東北大工小山 裕
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351 |
摩擦誘起成膜法による各種ステンレス系基板表面におけるMoS2生成 |
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東北大工○田邉 匡生
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東北大工(院生)伊藤 孝郁
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東北大工小山 裕
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352 |
共鳴結合結晶の超高速光応答 |
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東北大金研○谷村 洋
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東北大金研渡辺 真司
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東北大金研市坪 哲
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353 |
金属ペーストをコアにするテラヘルツポリマー導波路 |
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東北大工(院生)○宮浦 潤
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東北大工(院生)長谷川 涼
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東北大工田邉 匡生
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東北大工小山 裕
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354 |
AlGaN半導体を用いる波長選択型紫外光検出器の開発とデバイス特性評価 |
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東北大院工○小室 慎也
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東北大院工奥村 貴大
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東北大院環境科学鳥羽 隆一
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東北大院環境科学大橋 隆宏
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東北大院工田邉 匡生
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東北大院工小山 裕
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