9月20日

半導体材料
Semiconducting Materials

N会場C棟 3階C305号室

座長 谷村 洋 (09:00~10:00)
346 MnTe薄膜の相変化に伴う物性変化
  • 東北大工(院生)○森 竣祐
  • 東北大工須藤 祐司
  • 東北大工安藤 大輔
  • 東北大工小池 淳一
347 Inフラックス法によるGaSeの低温液相成長
  • 東北大工 (院生)○佐藤 陽平
  • 東北大工 (院生)渡辺 克也
  • 東北大工 (院生)唐 超
  • 東北大工田邉 匡生
  • 東北大工小山 裕
348 各種フラックスを用いた層状半導体GaSeの低温液相成長
  • 東北大工(院生)○渡辺 克也
  • 東北大工(院生)佐藤 陽平
  • 東北大工(院生)唐 超
  • 東北大工田邉 匡生
  • 東北大工小山 裕
349 スパッタリング法によるGe添加ZnO薄膜の作製
  • 電磁研阿部 世嗣
休憩10分
座長 須藤 祐司 (10:10~11:25)
350 摩擦誘起成膜法により生成する二硫化モリブデン(MoS2)結晶のラマンマッピング・フォトルミネッセンス測定
  • 東北大工(院生)○伊藤 孝郁
  • 東北大工田邉 匡生
  • 東北大工小山 裕
351 摩擦誘起成膜法による各種ステンレス系基板表面におけるMoS2生成
  • 東北大工○田邉 匡生
  • 東北大工(院生)伊藤 孝郁
  • 東北大工小山 裕
352 共鳴結合結晶の超高速光応答
  • 東北大金研○谷村 洋
  • 東北大金研渡辺 真司
  • 東北大金研市坪 哲
353 金属ペーストをコアにするテラヘルツポリマー導波路
  • 東北大工(院生)○宮浦 潤
  • 東北大工(院生)長谷川 涼
  • 東北大工田邉 匡生
  • 東北大工小山 裕
354 AlGaN半導体を用いる波長選択型紫外光検出器の開発とデバイス特性評価
  • 東北大院工○小室 慎也
  • 東北大院工奥村 貴大
  • 東北大院環境科学鳥羽 隆一
  • 東北大院環境科学大橋 隆宏
  • 東北大院工田邉 匡生
  • 東北大院工小山 裕

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