3 月 23 日


R 会 場  54号館 2 階

半 導 体 材 料 (2)
Semiconductors

 座 長 柴田 悦郎 (9 : 30〜10 : 30)

682 Annealing Effect on the Structural Perfection of MBE Grown β-FeSi2 Epitaxial Film

東北大多元研 ○紀世陽 王吉豊 電磁研 阿部世嗣 増本 剛
東北大多元研 林載元 斎藤 繁 ソニー宮城 打越雅仁
東北大多元研 三村耕司 一色 実

683 Effects of Fe Deposition Thickness on β-FeSi2/Si Heterostructures

阪大工(院生) ○元鐘漢 産研 佐藤和久 石丸 学 弘津禎彦

684 イオンビーム技術による非晶質 Fe-Si の創製とその構造解析

阪大産研 ○石丸 学 内藤宗幸 弘津禎彦

685 (Fe/非晶質 Si)ナノ積層膜における低温固相反応

長岡技科大工(院生) ○宮原幸喜 工 石黒 孝

― 15 分 休 憩 ―

 座 長 小出 康夫 (10 : 45〜12 : 00)

686 温度差法による GaAs 基板上の GaAsN 液相エピタキシャル成長

東北大工(院生) ○菅井麻希 木村俊博
院工 小山 裕 半導体研 西澤潤一

687 Al-Cu 系液相成長法による AlN 単結晶育成

東北大多元研(院生) ○大川良太郎
多元研 福山博之 中村 崇 トクヤマ 箱守 明

688 AlN/α-Al2O3 界面における γ-AlON 相の生成

東北大多元研(院生) ○中村克仁
多元研 小畠秀和 福山博之 中村 崇 トクヤマ 箱守 明
東北大金研 西嶋雅彦 平賀賢二

689 導電性 TiN バッファ層上の GaN 結晶成長と結晶欠陥

京大工(院生) ○内田 悠 (学生) 李相陳 院 伊藤和博
着本 享 豊田合成 池本由平 平田宏治 京大院 村上正紀

690 金属 TiN バッファ層上での半導体 GaN エピタキシャル成長の機構

京大工(院生) ○内田 悠 (学生) 藤田啓一
院 伊藤和博 着本 享 豊田合成 池本由平 平田宏治
京大院 村上正紀

― 昼   食 ―

 座 長 小山  裕 (13 : 00〜14 : 15)

691 アモルファス・カルコゲナイド半導体におけるパルスレーザー光照射の効果

京大院工 ○坂口佳史 田村剛三郎

692 水素原子が a-Si 薄膜のレーザ結晶化に与える効果

兵庫県立大 ○松尾直人 (学生) 中村昌隆 三浪大介
兵庫県立大 部家 彰 東大 芹川 正
北陸先端科技大院 松村英樹 山口大 河本直哉

693 PbTe 系中遠赤外半導体レーザーによるシリコン結晶の評価

東北大工(院生) ○加藤良和 安田 新
院工 田邉匡生 小山 裕 半導体研 須藤 建 西澤潤一

694 p, n 型 SiC 半導体に対する Ni-Al 二元系オーミックコンタクト材の同時形成とその機構

京大院工(院生) ○大西利武
(学生) 西崎ゆい 院工 着本 享 伊藤和博 村上正紀

695 ダイヤモンド紫外線フォトダイオードの光起電力特性

物・材機構 小出康夫 リョオメイヨン
LGEP/CNRS ホセアルバレッツ