3 月 22 日


W 会 場  54号館 4 階

S4 ナノ構造設計によるセラミックス
材料の新展開 (2)
Recent Development on Nano-Structure Controlled
Ceramic Materials

 座 長 柴田 直哉 (9 : 00〜10 : 55)

S4・11 基調講演 電子分光電子顕微鏡法によるナノ計測と電子状態評価(30)

名大工 武藤俊介

S4・12 Cu/Al2O3(0001)界面の電子状態及び ELNES の第一原理計算(20)

東大総研 ○溝口照康 佐々木健夫
産総研関西 田中真悟 東大総研(現:京大工) 松永克志
東大新領域 山本剛久 産総研関西 香山正憲 東大総研 幾原雄一

S4・13 鉄炭化物中の水素による EELS/XAFS スペクトルの変化と水素の高空間分解能イメージングの可能性(15)

名大工 ○巽 一厳 武藤俊介 吉田朋子 産総研 清林 哲

S4・14 ZnO-Al2O3 過飽和固溶体中の Al の局所環境(10)

京大工(院生) ○吉岡 聰 東大工 溝口照康
早大理工 山本知之 京大工 大場史康 田中 功

S4・15 Evolution of Microstructure in SiC-AlN Ceramics by EELS Mapping(10)

京大工 ○Huang Rong
Shanghai Inst. of Ceramics Hui Gu Shouhong Tan

― 10 分 休 憩 ―

 座 長 大谷 博司 (11 : 05〜12 : 15)

S4・16 ペロブスカイト系固体電解質材料における欠陥形成及び拡散機構の第一原理計算(15)

京大工 ○桑原彰秀
二宮健生 大場史康 松永克志 田中 功

S4・17 アルミナ対称傾角粒界における拡散挙動と原子構造(15)

東大工(院生) ○中川 翼 工 柴田直哉
物・材機構 坂口 勲 羽田 肇 京大工 松永克志 東大新領域 山本 剛久 工 幾原雄一

S4・18 チオリシコンにおけるリチウム欠陥の拡散機構(10)

京大工(現:大阪市大工) ○岸田逸平
工 桑原彰秀 大場史康 田中 功 名大工(学振) 小山幸典
東工大総理工 村山昌宏 菅野了次

S4・19 不定比 TiO2−x の第一原理計算(10)

京大工(院生) ○井上陽太郎 弓削是貴 世古敦人
工 大場史康 桑原彰秀 田中 功

― 昼   食 ―

 座 長 武藤 俊介 (13 : 00〜14 : 55)

S4・20 基調講演 第一原理熱力学に基づいたセラミックス中の機能元素の状態解析(30)

京大工 田中 功

S4・21 n 型半導体 SrTiO3 の粒界ショットキー特性(15)

東大新領域 ○山本剛久 佐藤幸生
総研 James Buban Si-Young Choi 柴田直哉 溝口照康 幾原雄一

S4・22 第一原理計算による窒化ホウ素のドーパントの探索(15)

京大工 ○大場史康 (院生) 東後篤史 工 田中 功
物・材機構 谷口 尚 渡邊賢司

S4・23 窒化ケイ素粒界アモルファス相の STEM 観察(10)

東大総研 ○柴田直哉
米国オークリッジ国立研究所 Gayle Painter
Stephen Pennycook Paul Becher

S4・24 希薄磁性半導体からの遷移金属 L2,3 端 XANES とその理論計算(10)

京大工(院生) ○池野豪一 国須正洋
早大理工 山本知之 京工繊工芸 園田早紀 京大工 大場史康 田中 功

― 10 分 休 憩 ―

 座 長 松永 克志 (15 : 05〜16 : 55)

S4・25 ダイヤモンド中の Ni 関連欠陥の電子状態と磁気特性:Tight-Binding 分子動力学解析(15)

岡山大院自然 江本智史 ○鶴田健二 東辻千枝子 東辻浩夫

S4・26 強磁場プロセスによる界面ナノ構造制御―Nd-Fe-B 系焼結磁石の保磁力制御―(20)

東北大院工 加藤宏朗 (院生) 秋屋貴博 インターメタリクス ○佐川眞人 東北大金研 小山佳一 院工 宮崎照宣

S4・27 セリア-ジルコニア固溶体の規則配列性に着目した材料設計と結晶構造解析(15)

豊田中研 ○佐々木 厳 野崎 洋 右京良雄
名大工 荒井重勇 巽 一厳 武藤俊介

S4・28 窒化アルミニウム・セラミックスの熱伝導率と透過率に関係するサブナノ欠陥(15)

広島大院工 ○福島 博
(院生) 伊藤充拡 トクヤマ 金近幸博 東 正信

S4・29 サファイア機械研磨による研磨損傷の微細構造と局所格子ひずみ(20)

JFCC ○齋藤智浩 東大新領域 山本剛久 総研 幾原雄一