3 月 22 日


R 会 場  54号館 2 階

配線・実装材料 (2)
Interconnect/Packaging Materials

 座 長 八重 真治 (9 : 00〜10 : 00)

658 微細 Cu 配線の耐 EM 性および抵抗率の配線幅依存性

茨城大工 ○KHOO KHYOU PIN 大貫 仁
(院生) 津田勇樹 秋田県立大 長南安紀
日立マイクロデバイス 斉藤達之 石川憲輔 インテレス研 長野隆洋
日立協和 飛田俊実 日立日立研 赤星晴夫 端場登志雄

659 マルチフェーズフィールド法による Cu 再結晶過程の評価

物・材機構 ○大出真知子 諏訪嘉宏 村上秀之 小野寺秀博

660 Cu 極細配線中の粒成長シミュレーション

茨城大工(院生) ○影山順平 工 篠嶋 妥 市村 稔 大貫 仁

661 自己組織化極薄バリア形成能を有する Cu(Ti)系合金の変形能を向上させる第三元素の探索

京大院工(院生) 可部達也 工 ○着本 享 伊藤和博
村上正紀 神戸製鋼所 大西 隆

― 15 分 休 憩 ―

 座 長 赤星 晴夫 (10 : 15〜11 : 45)

662 Nb-Al 系電解コンデンサ陽極材料

工学院大工(学生) 大坂 玄 東大生研 ○簗場 豊 遠藤道雄
七尾 進

663 Hf-Ru 合金膜の結晶構造と仕事関数の関係

芝浦工大(学生) ○布重 裕
半導体 MIRAI-ASET 門島 勝 高場裕之
芝浦工大 瀬川一宏 木村信介 半導体 MIRAI-ASET 生田目俊秀
佐竹秀喜 東大工 鳥海 明 芝浦工大 大石知司

664 Co-B 系合金めっき膜中の水素の挙動

兵庫県立大(学生) ○森本賢周 工 福室直樹 八重真治 松田 均

665 ピエゾ駆動 2 探針を用いた導電性 Ag ペーストの微細組織と電気抵抗の同時評価

東北大工(院生) ○川本直幸
多元研 村上恭和 進藤大輔 阪大産研 金槿銖 菅沼克昭

666 Co-P 系合金めっき膜中の水素の挙動

兵庫県立大(院生) ○重田浩平 工 福室直樹
八重真治 松田 均

667 電解めっき法を用いた高強度・高導電性 Cu-Sn 合金薄膜の作製

東北大工(院生) ○野村恭兵 工 小池淳一

― 昼   食 ―

半 導 体 材 料 (1)
Semiconductors

 座 長 石黒  孝 (13 : 00〜14 : 15)

668 谷川・ハリス賞受賞講演 高純度金属および化合物半導体の作製と評価(25)

東北大 一色 実

669 CdMO(M:Co, Mn)系酸化物固溶半導体のバルク合成と磁気特性

電磁研 ○阿部世嗣 中山孝文 大沼繁弘 増本 剛

670 HWE 法による CaSeS 系固溶半導体薄膜の作製と禁制帯幅

電磁研 ○阿部世嗣 増本 剛

671 スパッタリング法による Ga2O3 薄膜の微細構造および電気特性

京大工(院生) ○重歳恭寛 工 着本 享 伊藤和博
豊田合成 守山実希 柴田直樹 京大工 村上正紀

― 15 分 休 憩 ―

 座 長 藤原 康文 (14 : 30〜15 : 45)

672 分子層エピタキシ法による GaAs/GaAsSb/GaAs 構造作製

東北大工(院生) ○佐藤翔太 工 大野武雄 小山 裕
半導体研 西澤潤一

673 フォトキャパシタンス法による InP ELO 層のディープレベル測定

東北大工(院生) ○木村俊博 菅井麻希
工 小山 裕 半導体研究所 丹野剛紀 西澤潤一

674 エルビウムを含む酸化物の 1.5 μm 帯フォトルミネッセンスと電子状態

名大工 ○吉野正人 (学生) 伊藤孝明
VBL(現:京大) 小泉 淳 関西学院大理工(院生) 豊島広朗
理工 小笠原一禎 名大エコトピア 長崎正雅

675 ZnSe 中 Va 元素の比較

東北大多元研 ○王吉豊 呉忠奉 一色 実

676 室温 FIB による GaSb 表面の規則的ナノセル構造の形成

高知工科大(院生) ○森田紗代
高知工科大 新田紀子 谷脇雅文

― 15 分 休 憩 ―

テラヘルツ物性
THz Electronics/Photonics

 座 長 一色  実 (16 : 00〜17 : 15)

677 テラヘルツ物性計測技術と分子振動解析

東北大工 ○田邉匡生 (学生) 高崎晃一
半導体研 丹野剛紀 佐々木哲朗
東北大工 小山 裕 和田山智正 半導体研 須藤 建 西澤潤一

678 GaP 結晶を利用するテラヘルツ波光源による ATR スペクトル測定

東北大工(院生) ○釼持敦志 工 田邉匡生 小山 裕
半導体研 須藤 建 西澤潤一 佐々木哲朗 丹野剛紀

679 テラヘルツ帯 GaP 二次元フォトニック結晶の作製と評価

東北大工(院生) ○齊藤恭介 院工 田邉匡生 小山 裕
半導体研 須藤 建 西澤潤一 佐々木哲朗 木村智之

680 GaP ウェハーの熱処理による接合

東北大工(院生) ○齊藤恭介 半導体研 木村智之 東北大工 田邉匡生 小山 裕
半導体研 須藤 建 西澤潤一 佐々木哲朗

681 温度差液相成長法による層状半導体 GaSe の結晶成長とテラヘルツ帯特性

東北大工(院生) ○佐藤史和
工 小山 裕 田邉匡生
半導体 木村智之 須藤 建 西澤潤一