9 月 18 日


M 会 場  総合教育研究棟 3 階

S5 ナノ構造設計によるセラミックス材料の新展開 (3)
New Aspects of Advanced Ceramics
by Nano-Scale Materials Design (3)

 座 長 武藤 俊介 (9 : 00〜10 : 30)

S5・29 基調講演 SrTiO3 における点欠陥制御(30)

東大新領域 ○山本剛久 佐藤幸生
総研 溝口輝康 柴田直哉 J. Buban 幾原雄一

S5・30 ZnO[0001]対称傾角粒界におけるドーパント偏析(10)

東大新領域 ○佐藤幸生
総研 James P. Buban 溝口照康 柴田直哉
新領域 淀川正忠 山本剛久 総研 幾原雄一

S5・31 ZnO 中の点欠陥の局在・非局在電子状態(15)

京大工 ○大場史康 (院生) 東後篤史 工 田中 功

S5・32 室温強磁性半導体としての Mn 添加 Ga2O3 薄膜(10)

京大工(院生) ○林 博之 工 Rong Huang
京工繊大 園田早紀 京大工(院生) 池野豪一 吉岡 聡
工 大場史康 田中 功

― 10 分 休 憩 ―

 座 長 柴田 直哉 (10 : 40〜11 : 40)

S5・33 X 線照射誘起発光を利用したセラミックス中微量成分構造解析の試み(10)

名大工 吉田朋子

S5・34 ELNES に現れる原子カラム依存性の第一原理計算(10)

東大総研 ○溝口照康 J. P. Buban 京大工 松永克志
東大新領域 山本剛久 総研 幾原雄一

S5・35 Mn 酸化物系セラミックスにおける電子チャネリングを用いたサイト選択的 TEM-EELS 測定(10)

名大工(院生) ○山本 悠 工 巽 一厳 武藤俊介

S5・36 Co 複合酸化物における Co-L2,3 端 XANES/ELNES の理論計算(10)

京大工(院生) ○熊谷 悠 池野豪一
工 大場史康 田中 功