9 月 16 日


R 会 場  総合教育研究棟 3 階

薄 膜 材 料
Thin Films

 座 長 小出 康夫 (10 : 30〜12 : 00)

655 TiN バッファ層上に成膜した GaN の結晶成長と格子欠陥との関係

京大院 ○李相陳 内田 悠
工 伊藤和博 着本 享 豊田合成 池本由平 平田宏治
京大工 村上正紀

656 GaN 結晶成長用スパッタ(Ti1−XZrX)N バッファ層の開発

京大院 ○酒井康明 内田 悠 伊藤和博 着本 享
豊田合成 池本由平 平田宏治 京大工 村上正紀

657 スパッタ TiO2:Nb 薄膜材における電気特性および微細構造

京大院 ○浜田良太 着本 享 伊藤和博
豊田合成 守山実希 柴田直樹 京大院 村上正紀

658 CM-GFS 源を用いた Pt 添加 TiO2 薄膜の成膜と評価

東海大工(院生) ○山崎雅博 工 岩瀬満雄 西 義武
理 小栗和也 生体分子研 大場敬生 河村 智
東京高専 一戸隆久 正木 進

659 反応性 RF マグネトロンスパッタ法で作製した酸化タングステンの結晶構造

東北大工(院生) ○井上愛知
原子力機構 高野勝昌 山本春也
東北大金研 永田晋二 四竈樹男

660 MOD 法による(La, Sr)MnO3 薄膜の作製

東北大工 ○王占杰 工(院生) 臼杵博一 工 粉川博之

― 昼   食 ―

テラヘルツ物性
THz Electronics/Photonics

 座 長 藤原 康文 (13 : 00〜14 : 45)

661 GaP テラヘルツ波発生における励起用近赤外レーザ光源の種類と応用

半導体研 西澤潤一 東北大工 ○田邉匡生
半導体研 須藤 建 東北大工(院生) 渡部祐介
半導体研 佐々木哲朗 東北大工 小山 裕

662 テラヘルツ波発生用 1.2 μm 波長帯 Cr:F レーザ発振器の設計

東北大工(院生) ○穂積則充 工 田邉匡生
半導体研 佐々木哲朗 東北大工 小山 裕
半導体研 須藤 建 西澤潤一

663 GaP 2 次元テラヘルツ帯フォトニック結晶の設計

東北大工(院生) ○齊藤恭介 院工 田邉匡生 小山 裕
半導体研 須藤 建 西澤潤一 佐々木哲朗 木村智之

664 蒸気圧制御温度差液相成長法による層状半導体 GaSe のバルク結晶成長とテラヘルツ帯特性

東北大院工(院生) ○佐藤史和 院工 小山 裕 田邉匡生
半導体研 須藤 建 西澤潤一

665 単一励起光源による GaSe 結晶からのテラヘルツ波発生

東北大院工(院生) ○釼持敦志 院工 田邉匡生 小山 裕
半導体研 佐々木哲朗 丹野剛紀 須藤 建 西澤潤一

666 GRT システムを利用したアルコール系液体試料の THz スペクトル

東北大院工(院生) ○釼持敦志
院工 田邉匡生 小山 裕
半導体研 須藤 建 西澤潤一 佐々木哲朗 丹野剛紀

667 分子層エピタキシ法による GaAs TUNNETT 微細構造の試作とサブ THz 発振特性

東北大院工(院生) ○遠藤一臣
院工 小山 裕 田邉匡生
半導体研 P. Plotka 真壁浩樹 須藤 建 西澤潤一