3月16日

半導体材料
Semiconducting Materials

H会場1号館 2階203号室

座長 伊藤和博(10:20~11:05)
222 摩擦を活用する層状半導体MoS2薄膜の形成
  • 東北大工○伊藤 孝郁
  • 東北大工田邉 匡生
  • 東北大工小山 裕
223 円柱状a-Ge膜のフラッシュランプアニール結晶化
  • 兵庫県立大工(院生)○吉岡 尚輝
  • 兵庫県立大部家 彰
  • 兵庫県立大松尾 直人
  • ウシオ電機(株)中村 祥章
  • ウシオ電機(株)横森 岳彦
  • ウシオ電機(株)吉岡 正樹
224 金属元素添加によるマグへマイト薄膜の作製
  • 電磁研○阿部 世嗣
  • 電磁研渡邉 雅人
  • 電磁研星 信夫
  • 電磁研佐藤 詩織
休憩5分
座長 松尾直人(11:10~11:55)
225 Ga-Al融液を用いたAlN結晶気相成長法における炉内圧力が結晶成長に及ぼす影響
  • 東北大多元研○高橋 慧伍
  • 東北大多元研安達 正芳
  • 東北大多元研福山 博之
226 THz波発生高効率化に向けた両性不純物添加GaSe結晶の液相成長と特性評価
  • 東北大工(院生)○佐藤 陽平
  • 東北大工(院生)趙 枢
  • 東北大工前田 健作
  • 東北大工田邉 匡生
  • 東北大工小山 裕
227 蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe1-xTex混晶の成長
  • 東北大工(院生)趙 枢
  • 東北大工(院生)佐藤 陽平
  • 東北大工(院生)伊藤 孝郁
  • 東北大工(院生)唐 超
  • 東北大金研前田 健作
  • 東北大工○田邉 匡生
  • 東北大多元研大谷 博司
  • 東北大工小山 裕
昼食

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