【分科会シンポジウム】

シリコンデバイスの最先端技術・材料開発の展望

第 3 分科会企画

[協賛予定] 応用物理学会,電子情報通信学会,電気学会,日本物理学会,日本表面科学会,日本材料学会,日本セラミックス協会,日本鉄鋼協会,自動車技術会,未踏科学技術協会,金属材料研究開発センター,電気化学会,日本化学会,エレクトロニクス実装協会,日本真空協会
 ユビキタス情報社会においては,多種多様な半導体デバイスが必要とされており,従来の MOS トランジスタ&Cu 配線を始め,パワーデバイス,高周波デバイス,薄膜トランジスタ及び強誘電体不揮発性メモリの開発が盛んになされている.これまでは,スケーリング則に沿った微細化技術でシリコン半導体の高集積化が図られてきたが,現在は新材料の投入による解決が検討されている.本シンポジウムでは,シリコン半導体の最先端技術とそれを支える材料開発に焦点を当てて,シリコンデバイスの将来の展望について議論することで,新しい展開を探ることを目的としている.多くの皆様のご参加をお願い致します.

日  時 2006年 9 月28日(木) 10 : 25~16 : 45
場  所 科学技術館 第一会議室(6F)
(東京都千代田区北の丸公園2-1 TEL 03-3212-3939)
定  員 70名
10 : 25~10 : 30 ―挨 拶―
10 : 30~11 : 00 (1) 電気自動車と超低損失パワーデバイス
日産自動車 谷本 智
11 : 00~11 : 30 (2) シリコン RF 集積回路技術
阪大 松岡俊匡
11 : 30~12 : 00 (3) 薄膜トランジスタ活性層の Si 低温結晶成長
兵庫県立大 松尾直人
12 : 00~13 : 30 ―昼 食―
13 : 30~14 : 00 (4) 強誘電体ゲート構造を用いた ITO チャネル薄膜トランジスタ
東工大 徳光永輔
14 : 00~14 : 30 (5) メタルゲート/high-k MOSFET の技術開発
半導体 MIRAI-ASET 生田目俊秀
14 : 30~14 : 45 ―休 憩―
14 : 45~15 : 15 (6) めっき Cu 配線材料の現状と将来
茨城大 大貫 仁
15 : 15~15 : 45 (7) Cu 配線の密着層・シード層形成技術
東大 霜垣幸浩
15 : 45~16 : 15 (8) Cu 合金配線におけるバリア層の自己組織化
京大 伊藤和博
16 : 15~16 : 45 (9) スパッタリン・高圧リフロープロセスによるダマシン Cu 配線技術
神戸製鋼所 大西 隆
(企画世話人 物質・材料研究機構 小出康夫 超先端電子技術開発機構 生田目俊秀 兵庫県立大 松尾直人 神戸製鋼所 大西 隆 茨城大 大貫 仁 京大 伊藤和博)

予約申込締切日 2006年9月11日(月)着信
参 加 費 (予稿代金・送料含む,消費税込み)
予稿集送付の折に請求書・振込用紙を同封いたしますので,その後にお払い込み下さい.
9 月11日以降の申込取り消し,また当日不参加はご返金いたしかねます.

 予約締切日まで締切日以降
正 員(維持員会社員,共催,協賛学協会会員)6,000円8,000円
学 生(会員,非会員の区別なし)3,000円4,000円
非 会 員10,000円12,000円

参加申込要領 下記項目を E-mail(apply@jim.or.jp)または FAX(022-223-6312)でお申し込み下さい.(1) 送信 subject に「シリコンデバイスシンポジウム参加申込」,(2) 会員種別(正員・学生員・非会員),(3) 会員番号(本会会員のみ),(4) 氏名,(5) 勤務先・所属,(6) 送付先住所(予稿集等送付先と電話番号)の各項目を送信して下さい.E-mail でのお申し込みについては,参加申込受付確認のため事務局より数日内に確認メールを返信します.なお,当日参加受付も行います.
予稿集送付 出来上がり次第,参加証・請求書とともに郵送します.
(開催 1 週間前までに参加証が届かない場合は必ずご連絡下さい.
テキストのみご希望の方には開催後に発送いたします.
申込・問合先 〒980-8544 仙台市青葉区一番町1-14-32
(社)日本金属学会
TEL 022-223-3685 FAX 022-223-6312
E-mail: apply@jim.or.jp