金属学会セミナー


半導体における点欠陥と拡散 ―基礎と最先端デバイス―

  • [協賛予定]
  • 応用物理学会,電子情報通信学会,IEEE EDS,日本鉄鋼協会,日本材料学会,日本MRS,日本物理学会
 LSI 等のSi 系素子,パワートランジスタや発光ダイオード等の化合物素子においては不純物の拡散制御や結晶欠陥密度の低減は素子特性の制御上,非常に重要である. 本セミナーにおいては,点欠陥,拡散の基礎を学ぶと共に,研究開発途上の実デバイスにおいてそれらの事象が如何ほど重要であるかについて明らかにする. 尚,今回の企画は前年度に引き続きセミナー・シンポジウム委員会が主体となって提案するものである.
(企画世話人兵庫県立大松尾直人,大阪府立大沼倉宏,東工大小林能直)
  • 日 時
  • 2015年11月12日(木) 9:35~17:10
  • 場 所
  • 東京工業大学大岡山キャンパス西9 号館1 階コラボレーションルーム(アクセス: 東京急行大井町線/目黒線「大岡山駅」徒歩3 分)
    http://www.titech.ac.jp/maps/ookayama/
  • 定 員
  • 50名
  • 受講料
受講資格 事前申込 当日申込
正 員 12,000円 15,000円
学 生 5,000円 6,000円
非会員 15,000円 20,000円
(本会前維持員会社社員,協賛学協会会員は会員扱い.学生は会員,非会員の区別なし)
  • 申込要領
  • E-mailでmeeting[at]jim.or.jp 宛お申し込み下さい.
    申込項目は以下のとおりです.
    ①送信subject に「セミナー:半導体における点欠陥と拡散―基礎と最先端デバイス―」と記入, ②氏名・年齢,③会員・非会員・学生の区別(本会会員は会員番号も), ④勤務先・所属,⑤通信先住所(テキスト等送付先と電話番号)お申し込み受理後,E-mailを返信します.
  • 事前申込締切
  • 2015年11月4日(水)着信
  • テキストの送付
  • 開催10日前までに送付の予定です.事前に申し込まれた方にはテキストを参加証等関係資料とともにお送りいたします.
  • 受講料払込方法
  • お申し込み受理後,請求書を送付いたします.
  • 問合先
  • 〒980-8544
    仙台市青葉区一番町1-14-32
    (公社)日本金属学会 セミナー参加係まで
    E-mail: meeting@jim.or.jp
    Tel 022-223-3685 Fax 022-223-6312
プログラム
9 : 35~9 : 40 はじめに セミナー・シンポジウム委員会/兵庫県立大 松尾直人
9 : 40~10 : 40 点欠陥の物理 東北大 米永一郎
10 : 40~11 : 40 拡散の基礎 慶応義塾大 植松真司
11 : 40~13 : 00 (昼食)
13 : 00~14 : 00 GaN 系デバイスにおける結晶欠陥の影響 福井大 塩島謙次
14 : 00~15 : 00 高性能Ge 薄膜トランジスタの現状と展望 東芝/産総研 臼田宏治
15 : 00~15 : 10 ―休憩―
15 : 10~16 : 10 クラスターイオンビームナノ加工の現状と展望 兵庫県立大 豊田紀章
16 : 10~17 : 10 軟X 線照射ドーピングの現状と展望 兵庫県立大 部家 彰